半导体(tǐ)器件基础,一本难(nán)得的半导(dǎo)体书,费(fèi)了很大(dà)劲(jìn)才找到的中文书(shū)。
《半导(dǎo)体器件基础》不仅是一本(běn)很好的教科书,也很适合作为微电子(zǐ)和相关领域的工程技术人员(yuán)的(de)参考书。作者Betty Lise Arldexson博(bó)士是美国俄亥俄州立大(dà)学工学院的电机工程(chéng)教授,讲授多门本(běn)科生和研究生的课程(chéng)。曾经在工业界工作过(guò)九年,有丰富的研究经验,目前正在从(cóng)事用于通讯、雷达和信(xìn)息(xī)处理的(de)光子学器件(jiàn)研究(jiū)。因此,与实(shí)际器件应用紧密(mì)结合也是《半(bàn)导(dǎo)体器件基础》的一个特色。
前言
第1部分 半导休材料
第1章 半导体中电子的能量和状态
第2章 均匀半导体(tǐ)
第3章(zhāng) 均匀半导(dǎo)体(tǐ)中(zhōng)的电流
第4章 非均匀半导体
第1部分补充内容(róng) 材料
补充内容(róng) 1A 量(liàng)子力学介(jiè)绍(shào)
补(bǔ)充内容 1B 关于材料的补充问题
第2部(bù)分 二极管
第5章 原型同质pn结
第6章 二极(jí)管的补充说明
第(dì)2部分补(bǔ)充内容:二极(jí)管
第3部分 场效应晶体管(guǎn)
第7章 MOSFET
第8章 FET的补(bǔ)充(chōng)分析
第3部(bù)分补(bǔ)充内容:场效应晶体(tǐ)管
第4部分 双极结型晶体管(guǎn)
第9章(zhāng) 双(shuāng)极(jí)结型器件:静(jìng)电学特(tè)性(xìng)
第10章 双极(jí)晶体管(guǎn)的(de)时变分析
第4部(bù)分补充内容:双极(jí)器件
第5部分 光电器件
第11章 光(guāng)点器件
附录
附录(lù)A 重要(yào)常数
附(fù)录(lù)B 符号表
附录C 制造
附录D 态密度函数,态密度有(yǒu)效质量(liàng),电导率有效质量
附录E 一(yī)些有(yǒu)用的(de)积分公式
附录(lù)F 有用的公式
附(fù)录G 推荐(jiàn)阅读的(de)文(wén)献
